在高压、超高压外延厚度以及抗辐照性等关键技术领域，我们通过自主研发达到全球行业领导者的技术标准。根据弗若斯特沙利文的资料，我们不仅牵头制定了碳化硅外延厚度的首个国内行业标准，更是中国首家实现高压及超高压厚膜外延片量产与交付的公司。在高压领域，我们的产品优势尤为突出。我们掌握了外延生长“零BPD错位”、低缺陷密度以及高浓度均匀性等核心技术。这些成就巩固了我们的行业地位，我们也因此荣幸地成为轨道交通等行业的高压客户的主要供应商。在超高压领域，我们同样取得了出色进展并成功研发了4H-SiC厚膜快速外延生长技术。于该等创新中，少子寿命作为衡量厚膜外延质量的关键指标，通过利用先进技术手段，我们成功将外延的少子寿命提升至7至9微秒，根据弗若斯特沙利文的资料，这一成果在行业中处于领先地位。

根据弗若斯特沙利文的资料，我们的产品性能获认可为处于国际领先水平。
1. 厚外延:
高压及超高压器件所用外延材料的电压等级高达3,300V级至20kV级。该等器件需要较厚的外延层，介乎30至200微米，以应对高压或超高压应用场景的挑战。我们产品的广泛厚度范围介乎0.2至300微米，超过行业主流产品的厚度范围（根据弗若斯特沙利文的资料，一般为0.1至250微米）。这体现了我们在超高压器件所用外延材料方面的技术优势。
2. 掺杂浓度均匀性:
掺杂浓度均匀性指外延片的实际掺杂浓度与平均掺杂浓度的偏差。均匀性偏差越小，说明产品质量越高。我们产品的掺杂浓度均匀性偏差为≤3%，使得我们处于领先地位（根据弗若斯特沙利文的资料，行业主流范围介乎≤3%至≤10%）。
3. 芯片良率：
芯片良率越高，意味著在实际生产过程中，能够成功制造出符合规格、性能稳定的晶体管的比率越高。我们产品的芯片良率≥99%，这一数值超越了行业主流范围（根据弗若斯特沙利文的资料，行业主流范围介乎90%至98%）。这充分体现了我们在半导体制造技术上的领先优势和卓越实力。